تاثیر توزیع ناخالصی های بستر بر عملکرد ترانزیستور MOSFET با آلایش هاله گون در سورس و درین
سال انتشار: 1398
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 457
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICIRES05_035
تاریخ نمایه سازی: 24 اسفند 1398
چکیده مقاله:
در این پژوهش به بررسی آثار کانال کوتاه در ترانزیستورهای تغییر مقیاس یافته و تاثیر ایجاد آلایش هاله گون تحت انرژی و زوایای مختلف را بر حاملهای داغ پرداخته شده است. این روش نشان می دهد که ایجاد آلایش هاله گون با زاویه ای بزرگتر یا انرژی بیشتر باعث بهبود پیچش ولتاژ آستانه میشود. بنابراین اثر حامل های داغ در این نواحی بیشتر میشود که ترانزیستورهای دارای آلایش هالهگون ایجادشده با انرژی پایین تر و زاویه بزرگتر نسبت به ترانزیستورهای دارای آلایش هاله گون ایجاد شده با انرژی بالاتر و زاویه کوچکتر دارای اثر حاملهای داغ کمتری خواهند بود. در نتیجه با ایجاد آلایش هاله گون اثر DIBL و پیچش ولتاژ آستانه و Ioff بهبود مییابد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
رضا نصرتی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد پردیس سیرجان
مهران ابدالی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد پردیس سیرجان