تحلیل و شبیهسازی عملکرد دمای اتاق ترانزیستور تک-الکترون مبتنی بر نقطه کوانتومی سیلیکنی

ما در این مقاله عملکرد ترانزیستور تکالکترون مبتنی بر نقطه کوانتومی سیلیکنی 1 با قطر 1 نانومتر را بررسی کردهایم و نشان دادهایم که اگر اندازه جزیره 2 از جنس نقطهی کوانتومی 3 سیلیکنی کاهش یابد )کوچکتر از 21 نانومتر( ترانزیستور قابلیتعملکرد در دمای اتاق را پیدا میکند. در این راستا اثر کاهش اندازه نقطه کوانتومی یعنی گسسته شدن سطوح انرژی آن و همچنین اثر پهنشدگی سطوح انرژی نقطه کوانتومی را برعملکرد دمای اتاق ترانزیستور تحلیل و شبیهسازی کردهایم. بررسیهای ما نشان میدهد که گسستگی سطوح انرژی نقطه کوانتومی و پهنشدگی متفاوت برای هر یک از آنها، منجر به نرختونلزنی متفاوت برای هر سطح انرژی و درنتیجه باعث ایجاد مشخصه نوسانات کولنی نامتقارن )پیکهای جریان متفاوت( برای ترانزیستور میشود. شبیهسازیها بر اساس روش مونت کارلو و با استفاده از شبیهسازSIMON انجام شدهاند.

کلیدواژه ها:

پهنشدگی سطوح انرژی ، ترانزیستور تکالکترون ، گسستگی سطوح انرژی ، نقطه کوانتومی سیلیکنی