شبیهسازی افزارهn+-n-n+با یک مدل هیدرودینامیک

سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,022

فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICNE01_045

تاریخ نمایه سازی: 10 اردیبهشت 1392

چکیده مقاله:

در این مقاله با ارائه یک مدل هیدرودینامیک به شبیهسازی رفتار الکترونها درافزارهn+-n-n+ سیلیکنی میپردازیم. برای رسیدن به این هدف معادلههای آهنگ انرژی سرعت و چگالی را به صورت همزمان و با روش تفاضل محدود و استفاده از تکنیک کرنک-نیکلسون به صورت ضمنی حل میکنیم. در شبیهسازی از روش تکرار نیوتنی بهره میگیریم و توزیع میدان الکتریکی، چگالی و سرعت الکترونها را به ازای دماهای 77 و 033 درجهکلوین بدست میآوریم. نتایج بدستآمده از مدل را تا ابعاد 033 نانومتربا مقالههای معتبر دیگران مقایسه میکنیم و کارایی مدل ارائهشده را ارزیابی میکنیم. مدل ارائهشده از سرعت شبیهسازی مناسب و همگرایی قابل قبول برخوردار است

نویسندگان

پژمان باقری نژاد

دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک دانشگاه شهید چمران اهواز

محمد سروش

عضو هیات علمی گروه برق دانشگاه شهید چمران اهواز

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • _ _ _ _ _ No.4, pp. 407-416, 1985. ...
  • _ _ _ Hydrodynamic Semiconductor Device Equations. " Computer _ ...
  • _ _ _ _ _ Aided-Design, Vol. ...
  • A. Gmudi, F. Odeh, M. Rudan, " Investigation of Non-Local ...
  • _ _ _ T ransactions on Co mputer-Aided Design, vol.8, ...
  • نمایش کامل مراجع