بررسی اثر تغییر گاف انرژی لایه جاذب سلول خورشیدیCIGSبه کمک حل عددی معادلات نفوذ-رانش
محل انتشار: اولین کنفرانس ملی نانوالکترونیک ایران
سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 761
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICNE01_071
تاریخ نمایه سازی: 10 اردیبهشت 1392
چکیده مقاله:
با توجه به نقش سلولهای خورشیدی به عنوان یک منبع انرژی تجدیدپذیر پایدار، در این مقاله به بررسی عملکرد یک سلول خورشیدی فیلم نازکCIGS میپردازیم. در ابتداروش حل عددی معادلات نفوذ-رانش برای این دسته ساختارهای فراپیوند شرح داده میشودهمچنین با توجه به وابستگی گاف انرژی سلولهایCIGSبه غلظتGa به ازای مقادیر متفاوتGaپارامترهای سلول ترسیم میشود و مقدار گاف انرژی سلولCIGSبرای دستیابی به بیشترین بازده ارائه میگردد. در پایان نیز مشخصه جریان-ولتاژ سلول با گاف انرژی بهینه رسم میشود
کلیدواژه ها:
نویسندگان
عبدالنبی کوثریان
دانشگاه شهید چمران اهواز، دانشکده مهندسی
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :