شناسایی نانو بلورکCuOبه عنوان ماده ترکیبی گیت دی الکتریک

سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 659

فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICNE01_102

تاریخ نمایه سازی: 10 اردیبهشت 1392

چکیده مقاله:

چنانچه بخواهیم از ترانزیستور اثر میدان فلز- اکسید- نیمه رسانا در مقیاس کمتر از 011 نانو متر استفاده کنیم نیاز به گیتی با ثابت دی الکتریک بالا داریم در این مقاله با روش پراش پرتو ایکسXRD(پرتو مادون قرمز تبدیلات فوریهFTIR( ومیکروسکوپ نیروی اتمیAFM به شناسایی ویژگی های نانو بلورکCuO به عنوان ماده ترکیبی گیت دی الکتریک پرداختیم. نتایج نشان می دهد اکسید مس به دلیل بالا بودن ثابت دی الکتریک، دارا بودن پایداری شیمیایی، خاصیت آموروف کنندگی بالا، باعث تولید فونون های اپتیکی و افزایش تحرک می شود

نویسندگان

علی بهاری

دانشگاه مازندران- دانشکده علوم پایه- گروه فیزیک

اعظم رضائیان

دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات کرمانشاه

توفیق اوسطی

دانشگاه رازی- دانشکده علوم پایه- گروه فیزیک

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :