ساختار، ویژگیها وکاربردهایGaN

سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 677

فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICNE01_161

تاریخ نمایه سازی: 10 اردیبهشت 1392

چکیده مقاله:

کاربرد نیمه هادی ها در زندگی امروزه حقیقتی غیر قابل انکار است .از این میان به دلیل افزایش تقاضا کاربردهای با پهنای باند بالا رو به افزون است.از این رو نیمه رساناهای با گاف انرژی بالا جهت کاربردهای الکترونیکی با توان بالا بسیارمورد توجه طراحان قرار گرفته است.از جمله این کاربردها فرستنده های مایکروویوی ارتباطات ورادار هستند. به نظر می رسدGaN به دلیل داشتن گاف انرژی بالا در تکنولوژی وسایل و مواد نوید بخش باشد.در این نوشتار به ساختار ،کاربرد وچالش های پیش روی این نیمه هادی پر کاربرد پرداخته شده است

کلیدواژه ها:

گاف انرژی ، تقویت کننده های توانGaN

نویسندگان

شقایق گمار

دانشگاه رازی کرمانشاه ،دانشکده فنی مهندسی

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • د ا نشگا ه آ ز ا د ا سلامی ...
  • _ _ B.Biasse , E.alaguier , F _ Let ertre"Innovative ...
  • UK. Mishra, "AlGaN/Gat HEMT :An overview of devie _ ...
  • نمایش کامل مراجع