بررسی تأثیر پیوندهای آویزان و اندازه بر پایداری و گاف انرژی نانوسیمهای فاز ورتسایتInAs بااستفاده از روش شبهپتانسیل
محل انتشار: اولین کنفرانس ملی نانوالکترونیک ایران
سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 945
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICNE01_204
تاریخ نمایه سازی: 10 اردیبهشت 1392
چکیده مقاله:
در این مقاله تأثیرات اندازه و پیوندهای آویزان بر پایداری و گاف انرژی نانوسیمهای فاز ورتسایتInAs بررسی شده است . محاسبات در چارچوب نظریهی تابعی چگالی و به روش شبه پتانسیل توسط بستهی نرم افزاریEspresso با تقریبLDA انجام شده است . با مقایسهی انرژی تشکیل نانوسیمها، پایداری آنها مورد بررسی قرار گرفت. نتایج بدست آمده نشان می دهد با افزایش قطر، چگالی پیوندهای آویزان کمتر و پایداری نانوسیمهابیشتر میشود. همچنین مقدار گاف نواری برای حالت توده و نانوسیمها محاسبه شد. در قطرهای کوچک با افزایش گاف مواجه هستیم، اما در قطرهای بزرگتر روندی نزولی در گافنواری دیده میشود و به مقدار گاف حالت توده همگرا میشود
کلیدواژه ها:
نویسندگان
حمداله صالحی
آزمایشگاه ماده چگال محاسباتی، گروه فیزیک، دانشگاه شهید چمران،
صغری بهرامی ده توتی
آزمایشگاه ماده چگال محاسباتی، گروه فیزیک، دانشگاه شهید چمران،
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :