Study the Effect of Temperature on Graphene Growth in CVD Methods by CFD Based Simulation

سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 736

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICNN05_357

تاریخ نمایه سازی: 30 آبان 1394

چکیده مقاله:

Graphene is a famous two dimensional nanomaterials that most researchers are working on its quality anddomain size. One of the common methods that we can synthesize graphene with high quality and larger size is CVDmethod. A numerical study has been carried out to simulate temperature's effects in a tube chemical vapor deposition(CVD) reactor used for growing graphene. Graphene were grown over copper substrate in low pressure. The numericalmodel is simulated 2D as a laminar, steady state and axis symmetric flow. The model simulation results showed thattemperature have significant effects on graphene growth. The graphene area coverage used as output parameter. Thesimulation results of this study can be used to optimize the CVD reactor conditions for graphene production.

کلیدواژه ها:

Computational Fluid Dynamic (CFD) ، Graphene Growth ، Chemical Vapor Deposition (CVD) ، Temperature's Effect ، Two Dimensional Nanomertial

نویسندگان

A Hosseini Sajadi

Department of Chemical Engineering, Isfahan University of Technology, Isfahan, Iran

J Karimi-Sabet

Nuclear Fuel Cycle School, Nuclear Science and Technology Research Institute, Tehran, Iran

S.M Ghoreishi

Department of Chemical Engineering, Isfahan University of Technology, Isfahan, Iran