The effects of Gate Insulator Dielectric Constant on the Performance of GNRFETs
سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 468
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICNN05_784
تاریخ نمایه سازی: 30 آبان 1394
چکیده مقاله:
The Graphene Nano-Ribbon Field Effect Transistor (GNRFET) is an emerging technology that received muchattention in recent years. Selection of a suitable gate dielectric constant is important in determining device performance. In this paper, different gate dielectric materials for GNRFET are examined. The Non- Equilibrium Green’s Function (NEGF) method in mode space representation is used to solve the Schrödinger equation self- consistently with two dimensional (2D) poisson equation. We assume a tight-binding Hamiltonian in our study. The results show that the GNRFET with high dielectric constant has higher transconductance, lower Off- state current, higher On-state current and higher ratio of Ion/Ioff in comparison with low dielectric GNRFET. Furthermore, the GNRFET with low dielectric constant has smaller capacitances in gate, drain and source. The GNRFET with high dielectric constant has lower Sub-threshold Swing.
کلیدواژه ها:
Graphene Nanoribbon FET ، Schrödinger- Poisson formalism ، Non Equilibrium Green’s function (NEGF) ، Gate Insulator
نویسندگان
M Akbari Eshkalak
Departmentof Electrical Engineering, Islamic Azad University of Qazvin, Qazvin, Iran
R Faez
Department of Electrical Engineering, Sharif University Of Technology, Tehran, Iran
P Ataei
Departmentof Electrical Engineering, Islamic Azad University of Qazvin, Qazvin, Iran