طراحی و ساخت آشکار ساز فتودیودی InSb با استفاده از کاشت یون +Be
محل انتشار: شانزدهمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
سال انتشار: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,446
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICOPTICP16_014
تاریخ نمایه سازی: 18 تیر 1388
چکیده مقاله:
در این تحقیق نتایج به دست آمده از کاشت یون Be+ در نیمه هادی n-InSb به منظور ساخت آشکار ساز فتودیودی مادون قرمز در بازه طول موج 5-3µm ارائه شده است. فتودیودی به روش کاشت یون، با دز 14 10×4 cm -2 و انرژی KeV 100 ، همراه با عملیاتی حرارتی 350C به مدت 30 دقیقه طراحی و ساخته شده است که دارای جریان تاریکی 2nA در بایاس معکوس 50mV و آشکارسازی بیشینه طول موجی cm Hz 1/2 W1 (Dλ) 9 ×10 10 می باشد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
علی اوسط علی پور
صنایع قطعات نیمه هادی، صنعت آپتوالکترونیک
محسن مرادی
صنایع قطعات نیمه هادی، صنعت آپتوالکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد ت
محمد دارایی
صنایع قطعات نیمه هادی، صنعت آپتوالکترونیک
مرتضی راستگو
صنایع قطعات نیمه هادی، صنعت آپتوالکترونیک
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :