تهیه لایه های نازک نیترید مس Cu3N به روش کندوپاش مگنترونی واکنشی dc و بررسی خواص آنها با تغییر توان تخلیه دستگاه

سال انتشار: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 3,164

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICOPTICP16_050

تاریخ نمایه سازی: 18 تیر 1388

چکیده مقاله:

دراین کار تجربی لایه های نازک نیترید مس به روش کندوپاش مگنترونی واکنشی dc برروی زیرلایه های شیشه ای تحت توانهای تخلیه الکتریکی متفاوت و دمای ثابت زیرلایه نهشته شده اند. در این جا وابستگی چگالی، مقاومت ویژه الکتریکی و گاف اپتیکی فیلمها به توان تخلیه نشان داده شده است و علل تغییرات مشاهده شده مورد بحث قرار گرفته است.

کلیدواژه ها:

نویسندگان

بیان کریمی

گروه حالت جامد و الکترونیک، دانشکده فیزیک، دانشگاه تبریز، بلوار ۲۹ بهم

حسن بیدادی

گروه حالت جامد و الکترونیک، دانشکده فیزیک، دانشگاه تبریز، بلوار ۲۹ بهم

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Perez, A., et al, (1997), ،Cluster assembled materials a novel ...
  • Ji, A. L, et al. (2006).، Growth of stoichiometrc Cu3N ...
  • نمایش کامل مراجع