تأثیر ضریب شکست ماده ی فعال و نامیزانی کاواک برعملکرد سوئیچ کاملاً نوری در میکرومشددهای نیم رسانا

در این مقاله ابتدا به مطالعه ی یک سوئیچ کاملاً نوری که براساس کنترل طرحهای اپتیکی عرضی در یک میکرومشدد نیم رسانا عمل می کند پرداخته شده است. بمنظور سوئیچ نمودن طرح اپتیکی خودبخودی تشکیل شده در سیستم، از یک اختلال فضایی بصورت مدولاسیون دامنه ی میدان ورودی استفاده گردیده و زمان سوئیچ زنی و کمترین دامنه ی اختلال لازم برای انجام عمل سوئیچ زنی محاسبه شده است. سپس عملکرد سوئیچ باتغییر ضریب شکست ماده ی فعال موجود درچاههای کوانتومی به شکل بسیارمناسبی بهینه شده است همچنین تاثیر نامیزان کاواک بر چگونگی تشکیل طرحهای خودبخودی در میکرومشدد نیم رسانا، بررسی شده است.

کلیدواژه ها:

الگوهای نوری ، دوپایایی اپتیکی ، سوئیچ کاملاً نوری ، میکرومشدد نیم رسانا