تحلیل اثر فتورسانندگی مداوم در ساختارهای دور آلائیده معکوس p-Si/SiGe/Si

در این مقاله اثر فتورسانندگی مداوم (ppc) مشاهده شده در ساختارهای دور آلاییده معکوس p-Si/SiGe/Si مورد تجزیه و تحلیل قرار می گیرد. تجربه نشان میدهد که باتابش نور قرمز به این ساختار در دمای °4/2k ، رسانندگی (σ) گاز حفره ای دو بعدی (2DHG) موجود در چاه کوانتومی (SiGe) افزایش می یابد. نتایج موید این است که این افزایش ناشی از جذب نور در لایه پوششی Si و تولید زوج الکترون - حفره و به تبع آن خنثی شدن بارهای سطحی Si می باشد.