سوئیچ زنی حالات سطحی در یک کریستال فوتونی یک بعدی، توسط یک لایۀ نازک غیرخطی

دراین مقاله ابتدا رفتار پاشندگی حالات سطحی تولید شده با جایگزیدگی قابل کنترل، در سطح یک کریستال فوتونی یک بعدی متشکل از لایه های فرامادۀ چپگرد پاشنده و لایه های راستگرد در حضور یک لایۀ نازک غیرخطی مطالعه شده است. سپس راهکاری به منظور تعیین مقدار شدت میدان الکتریکی اعمالی که در آن، سوئیچ زنی مدها از پسرو به پیشرو صورت پذیرفته و یک مد سطحی با بیشترین جایگزیدگی قابل تولید می باشد پیشنهاد شده است.

کلیدواژه ها:

سوئیچ زنی ، جایگزیدگی قابل کنترل ، مواد چپگرد پاشنده ، مدهای سطحی پسرو