بررسی وابستگی دمایی قابلیت هدایت سیلیکان هیدروژنه آمورف تحت تابش

در این کار با استفاده از معادلات حاکم بر گذار بین حالتهای جایگزیده موجود درگاف انرژی و حالتهای گسترش یافته نوارهای رسانش و ظرفیت در نیم رسانای سیلیکان هیدروژنه آمورف، قابلیت هدایت نوری حالت پایا محاسبه شده است. وابستگی قابلیت هدایت نوری به دما و شدت نور تابشی مورد مطالعه قرار گرفته و کاهش در قابلیت هدایت نوری با افزایش دما نیز بررسی شده است. رفتار دمایی قابلیت هدایت نوری با استفاده از تغییرات چگالی بارها در حالتهای جایگزیده طی پنج مرحله به طور کیفی مورد تحلیل قرار گرفته است.

کلیدواژه ها:

قابلیت هدایت نوری ، نیم رسانای آمورف ، کشیدگی نوارهای انرژی