بررسی کوپل شدگی اکسایتون-فوتون در نانولولههای کربنی بااستفاده از تابع گرین
سال انتشار: 1389
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 840
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICOPTICP17_052
تاریخ نمایه سازی: 19 آبان 1389
چکیده مقاله:
در این مقاله تئوری برهمکنش حالات اکسایتونی با مدهای الکترومغناطیسی سطح نانولولههای کربنی نیمرسانای تکجداره را بررسی میکنیم و معادلات توصیف کنندهی سیستم کوپلشدهی اکسایتون-فوتون روی سطح نانولولهی کربنی را برحسب تانسورگرین میدان الکترومغناطیسی و رسانندگی محوری سطح محاسبه میکنیم. در توصیف برهمکنش اکسایتون- فوتون روی سطح نانولوله، از فرمولبندی تابع گرین برای کوانتش میدان الکترومغناطیسی در حضور اجسام جاذب شبه یک- بعدی استفاده میکنیم، که همان فرمولبندی الکترودینامیک کوانتومی ماکروسکوپی برای محیطهای جاذب میباشد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
راضیه پاک نیک
دانشکده علوم، بخش فیزیک،دانشگاه شهید باهنر، کرمان
محمدحسین زندی
دانشکده علوم، بخش فیزیک،دانشگاه شهید باهنر، کرمان
علیرضا بهرامپور
دانشکده علوم، بخش فیزیک،دانشگاه شهید باهنر، کرمان