شبیه سازی توپوگرافی سه بعدی سطوح به کمک اشکارسازی میدان دور یک نانو کره ی دی الکتریک به روش عددی عناصر مرزی
سال انتشار: 1389
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 921
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICOPTICP17_078
تاریخ نمایه سازی: 19 آبان 1389
چکیده مقاله:
دراین مقاله نخست پراکندگی موج تکفام با قطبش میدان الکتریکی عرضی توسط مجموعه ای از گره های دی الکتریک با شعاع ها، ضرایب شکست ومکانهای کاملا دلخواه در فضا بهروش عددی عناصر مرزی محاسبه شده است در ادامه برای بررسی صحت محاسباتی طرح پراش فرنل و فرانهوفری از یک کره ی دی الکتریک محاسبه شده است که نتایج به دست آمده با نتایج تحلیلی در تطابق کامل می باشد سپس با محاسبه ی میدان دور حاصل از یک نانو کره ی دی الکتریک که در حوزه ی میدان نزدیک یک سطح ناهموار قرار داده شده است نقشه ی توپوگرافی سطح در سه بعد شبیه سازی شده است فرض شده است کره ی دی الکتریک نقش نوک کاوه ی میکروسکوپ روبشی میدان نزدیک رابازی می کند و تاثیر اندازه ی قطر کره ی دی الکتریکی روبشگر در کیفیت تصویر توپوگرافی مورد بررسی قرار گرفته است دقت و سرعت بالا و حجم پایین اطلاعات محاسباتی از مزایای این روش نسبت به روشهای دیگر می باشد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :