بررسی خواص اپتیکی الکتریکی و مورفولوژی لایه های نازک اکسید الومینیم لایه نشانی شده به شیوه کندوپاش RF در ضخامتهای مختلف
سال انتشار: 1389
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,044
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICOPTICP17_172
تاریخ نمایه سازی: 19 آبان 1389
چکیده مقاله:
لایه های نازک اکسید الومینیم Al2O3) برروی زیرلایه های Silicon(100) نوع P که سطح ان توسط کوره فسفر الاییده شده و نیز شیشه به روش کندوپاش RF در حضور پلاسمای ارگون در ضخامت های مختلف لایه نشانی گردیده و خواص الکتریکی عبور نوری لایه ها در ناحیه مرئی و مورفولوژی سطح بترتیب توسط انالیزهای C-V طیف سنجی UV/VIS/IR میکروسکوپ اسکن کننده الکترون و نوری بررسی شده است نتایج نشان میدهد که با افزایش ضخامت لایه های اکسید الومینیم عبور نوری لایه ها درناحیه مرئی کاهش می یابد و سطح لایه ناهموارتر می شود همچنین ظرفیت ساختار MOS و ثابت دی الکتریک لایه ها نیز با تغییر ضخامت تغییر می کنند.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
راضیه فاتحی
ازمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک گروه مهندسی برق و کامپیوتر دانشکده
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :