خواص اپتیکی اکسید روی خالص و الاییده شده

سال انتشار: 1389
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,233

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICOPTICP17_219

تاریخ نمایه سازی: 19 آبان 1389

چکیده مقاله:

خواص اپتیکی اکسید روی خالص و الاییده شده با منگنز در فاز مکعبی بصورتنظری بررسی شده است در انجام محاسبات از نظریه تابعی چگالی برپایه روش پتانسیل کامل موج تخت افزوده شده خطی و تقریب شیب تعمیم یافته استفاده شده است نتایج محاسبات نشان میدهد که گاف نواری اکسید روی 0/75 الکترون ولت است که باافزودن منگنز به آن گاف افزایش یافته و به 0/9eV می رسد ضریب شکست استاتیکی اکسید روی خالص 2/21 و الاییده با منگنز 1/98 بدست آمده است که در توافق خوبی با نتایج دیگران است.

نویسندگان

حسین اصغر رهنمای علی اباد

گروه فیزیک دانشگاه تربیت معلم سبزوار

مرضیه سادات غضنفری

گروه فیزیک دانشگاه تربیت معلم سبزوار

فاطمه فروتن

گروه فیزیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد مشهد

بابک حقیقی

گروه فیزیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد مشهد

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • C.G. Granqvist, A Hultaker, "Transparent and conducting ITO films: new ...
  • P. Blaha, K. Schwarz, G. Madsen, D. Kvasnicka and J. ...
  • Y. Z. Zhu, G. D. Chen, and H.Ye, " Electronic ...
  • .H.G. Swamy and P.J. Reddy, Semicond. Sci. Technol. 5, 980 ...
  • نمایش کامل مراجع