سلول خورشیدی دوپیوندی مدرج مبتنی برموادGaInP/GaAs
سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 824
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICREDG03_010
تاریخ نمایه سازی: 9 تیر 1392
چکیده مقاله:
دراین مقاله ساختاریک سلول خورشیدی دو پیوندی مبتنی برGaInP/GaAs را مورد مطالعه و شبیه سازی قرار داده ایم و اثرمدرج سازی چگالی ناخالصی را روی ولتاژ ماکزیمم توان خروجی بازده تبدیل و بازده کوانتومی نشان داده ایم نتایج حاصل ازشبیه سازی نشان دهنده ی این هستند که مدرج سازی چگالی ناخالصی درپیوند GaInP علاوه برافزایش بازده تبدیل باعث افزایش بازده کوانتومی نیز میشود پس ازمدرج سازی به بازده تبدیل بیش از25.79درصد و ولتاژ ماکزیمم 2.27v تحت تابشAM0 و به بازده تبدیل 31.57%وولتاژ ماکزیمم 2.5V تحت تابش AM1.5 دست یافته ایم
کلیدواژه ها:
نویسندگان
محمود نیکوفرد
دانشگاه کاشان
مجتبی پورموسی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران جنوب
ابوذر اسماعیلی مزیدی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران جنوب
فواد یزدی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکز
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :