تاثیر ضخامت گیت بر عملکرد ترانزیستور نانوسیمی سیلیکنی بدون پیوندتمام گیت استوانه ای چهار فلزی

سال انتشار: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 356

فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICTCK04_122

تاریخ نمایه سازی: 16 تیر 1397

چکیده مقاله:

در این تحقیق تاثیر ضخامت گیت بر عملکردترانزیستورنانوسیمی سیلیکنی تمام اطراف گیت استوانه ای بدونپیوند (nnn) در حالت دوبعدی و سه بعدی بررسی و شبیه سازی شده است.. در این روش فلز نزدیک سورس بالاترین تابع کار و فلز نزدیک درین کمترین تابع کاررا دارا می باشد. طول فلزات گیت مساوی 75 نانومتر، طول گیت 30 نانومتر، ضخامت نانوسیم 1نانومتر، ضخامت 1 (Sio2) نانومتر و ضخامت 3 (Hfo2) نانومتر و ضخامت گیت از 1 تا 5 نانومتر می باشد، NG=1× 1019 cm−3 ND = NS=1× 1020 cm−3. در این تحقیق از شبیه ساز Atlas Silvaco device Simulator 2D,3D برای شبیه سازی استفاده شده است. متغیرهای مورد بررسی در این تحقیق، ولتاژآستانه (DIBL کاهش سد پتانسیل ناشی از ولتاژدرین)، (Ion جریان روشنی) و (Ioff، جریان خاموشی) می باشد در حالت کلی، با افزایش ضخامت گیت، DIBL کاهش، Ion افزایش، Ioff کاهش و ولتاژ آستانه افزایش می یابد. در ضخامت 1 و 2 نانو مقدار متغیرها تقریبا مساوی است، اما ازضخامت 2 نانوبه بعد تغییرات قابل ملاحظه است. در ضخامت 5 نانومترکاهش قابل توجهی در آثار کانال کوتاه وجود دارد. کاهش DIBL و Ioff و همچنین افزایش Ion و ولتاژ آستانه قابل ملاحظه است .در مجموع ساختارفوق گزینه ی مناسبی برای کاهش آثارکانال کوتاه می باشد.

نویسندگان

اکرم نصرآبادی

واحد علوم و تحقیقات خراسان رضوی (نیشابور)، دانشگاه آزاد اسلامی، نیشابور، ایران

محمد جوادیان صراف

واحد مشهد، دانشگاه آزاد اسلامی، مشهد، ایران