طراحی شیفت رجیستر چهار بیتی با استفاده از ترانزیستور FinFET

سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 2,768

فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICTI01_101

تاریخ نمایه سازی: 11 مرداد 1396

چکیده مقاله:

فلیپ فلاپهای توان پایین در طراحی های مدارات دیجیتال بسیار پر اهمیت هستند. در این مقاله پیاده سازی جدیدی برای D فلیپ فلاپ ها مبتنی بر ترانزیستورهایFinFETدر یکمدار شیفت رجیستر چهاربیتی ارایه شده است. تکنولوژی FinFETنسبت به MOSFET سنتی مزیتهای زیادی درعملکرد و بهرهوری انرژی دارند. نتایج شبیه سازی برای یک سلول D فلیپفلاپ در ساختارهای مبتنی بر تکنولوژیFinFET نسبت به تکنولوژی MOSFET حدود 72% افزایش سرعت و 37% کاهش توان مصرفی را نشان میدهد. علاوه بر این در همه شیفت رجیسترهای پیشنهادی شامل ساختارهای سری-سری SISO سری-موازی SIPO موازی- موازیPIPO موازی- سری PISO افزایشسرعت و کاهشتوان درتکنولوژی FinFET نسبت به MOFET مشاهده می گردد.

کلیدواژه ها:

PDP. ، PISO ، PIPO ، SIPO ، SISO ، شیفترجیستر ، D فلیپ فلاپ نوع ، FinFET تکنولوژی

نویسندگان

محمدرضا شریففرد

دانشجویی کارشناسی ارشد، دانشگاه آزاد اسلامی اسلامشهر

حسین رضا یوسف وند

استادیار، دانشگاه آزاد اسلامی اسلامشهر

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • [l] E. A. D. p. S. N. R. k. a. ...
  • A. M. a. N. K. J. Prateek Mishra, "Nano electronic ...
  • G. Y. V. C. B. c. a. Y. C. S.Sinha, ...
  • B. O. F. M. a. N. C. M.Moreira, "Impact of ...
  • نمایش کامل مراجع