CIVILICA We Respect the Science
ناشر تخصصی کنفرانسهای ایران
عنوان
مقاله

بررسی عوامل موثر بر ساختار و خواص پیزوالکتریک لایه های نازک تیتانات زیرکونات سرب (PZT)بر روی زیرلایه سیلیکون مورد استفاده درسیستمهای میکروالکترومکانیک (MEMS)

اعتبار موردنیاز : ۱ | تعداد صفحات: ۱۳ | تعداد نمایش خلاصه: ۱۰۶۸ | نظرات: ۰
سال انتشار: ۱۳۸۷
کد COI مقاله: IMES02_210
زبان مقاله: فارسی
حجم فایل: ۴۵۲.۷ کیلوبایت (فایل این مقاله در ۱۳ صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد)

راهنمای دانلود فایل کامل این مقاله

اگر در مجموعه سیویلیکا عضو نیستید، به راحتی می توانید از طریق فرم روبرو اصل این مقاله را خریداری نمایید.
با عضویت در سیویلیکا می توانید اصل مقالات را با حداقل ۳۳ درصد تخفیف (دو سوم قیمت خرید تک مقاله) دریافت نمایید. برای عضویت در سیویلیکا به صفحه ثبت نام مراجعه نمایید. در صورتی که دارای نام کاربری در مجموعه سیویلیکا هستید، ابتدا از قسمت بالای صفحه با نام کاربری خود وارد شده و سپس به این صفحه مراجعه نمایید.
لطفا قبل از اقدام به خرید اینترنتی این مقاله، ابتدا تعداد صفحات مقاله را در بالای این صفحه کنترل نمایید.
برای راهنمایی کاملتر راهنمای سایت را مطالعه کنید.

خرید و دانلود فایل مقاله

با استفاده از پرداخت اینترنتی بسیار سریع و ساده می توانید اصل این مقاله را که دارای ۱۳ صفحه است در اختیار داشته باشید.

قیمت این مقاله : ۳,۰۰۰ تومان

آدرس ایمیل خود را در کادر زیر وارد نمایید:

مشخصات نویسندگان مقاله بررسی عوامل موثر بر ساختار و خواص پیزوالکتریک لایه های نازک تیتانات زیرکونات سرب (PZT)بر روی زیرلایه سیلیکون مورد استفاده درسیستمهای میکروالکترومکانیک (MEMS)

علی کوچک زاده - دانشجوی کارشناسی ارشد
  سیدعلی علویان - دانشجوی کارشناسی
  اسکندر کشاورزعلمداری - معاونت پژوهشی پژوهشگاه مواد و انرژی- دانشیار دانشکده مهندسی معدن و م
  عبدالغفار برزگر - استادیار دانشکده مهندسی مواد دانشگاه شیراز

چکیده مقاله:

امروزه ازتکنولوژی ساخت لایه های نازک بصورت گسترده در ساخت سیستم های میکروالکترومکانیک (MEMS) استفاده می شود. سرامیک پیزوالکتریک تیتانات زیرکونات سرب (PZT) با فرمول Pb(Zrx,Ti1-x)O3 بصورت لایه نازک بر روی زیرلایه ای از Si/SiO2 /Ti/Pt و به روش اسپاترینگ مغناطیسی RF راسب می شود. کاربرد لایه نازک تیتانیوم بعنوان عامل چسبنده بین لایه پلاتین و زیرلایه سیلیکون می باشد و لایه نازک پلاتین نیز بعنوان الکترود پایینی در جهت کریستالوگرافی (111) رشد نموده که با آنالیز XRD قابل اثبات است. انجام عملیات آنیل بر روی مجموعه چند لایه ای سیلیکون منجر به ایجاد ساختارکریستالی پروفسکیت در لایه PZT و رشد آن در جهت مرجح (111) می شود اما در عین حال نفوذ اتمهای تیتانیوم به لایه پلاتین و نیز نفوذ اتمهای سرب موجود در PZT به سمت زیرلایه سیلیکون را در پی خواهد داشت که موجب ایجاد تاول و متعاقب آن تخریب در لایه های نازک پلاتین و PZT و کاهش خواص فروالکتریک و پیزوالکتریک PZT می شود. در این تحقیق اثر عوامل مختلفی نظیر دما و زمان آنیل، ضخامت لایه های مختلف و استفاده از لایه های بازدارنده نفوذ نظیر اکسید چند گانه تیتانیوم TiOx بر ساختار و خواص پیزوالکتریک PZT مورد بررسی قرار گرفت و مشخص گردید که عملیات آنیل نمونه ها در دمای °c 650 به مدت 30 دقیقه و ضخامت nm 10 برای لایه تیتانیوم و nm 200 برای لایه پلاتین بهترین نتایج را برای خواص پیزوالکتریک PZT بدست می آورد

کلیدواژه‌ها:

PZT – MEMS – نفوذ- عملیات حرارتی آنیل

کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله

برای لینک دهی به این مقاله، می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:
https://www.civilica.com/Paper-IMES02-IMES02_210.html
کد COI مقاله: IMES02_210

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
کوچک زاده, علی؛ سیدعلی علویان؛ اسکندر کشاورزعلمداری و عبدالغفار برزگر، ۱۳۸۷، بررسی عوامل موثر بر ساختار و خواص پیزوالکتریک لایه های نازک تیتانات زیرکونات سرب (PZT)بر روی زیرلایه سیلیکون مورد استفاده درسیستمهای میکروالکترومکانیک (MEMS)، دومین همایش مشترک انجمن مهندسین متالورژی و انجمن ریخته گری ایران، کرج، دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرج، https://www.civilica.com/Paper-IMES02-IMES02_210.html

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (کوچک زاده, علی؛ سیدعلی علویان؛ اسکندر کشاورزعلمداری و عبدالغفار برزگر، ۱۳۸۷)
برای بار دوم به بعد: (کوچک زاده؛ علویان؛ کشاورزعلمداری و برزگر، ۱۳۸۷)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :

  • T. Haccart, E. Cattan, D. Remiens Dielectric, ferroelectric and piezoelectric ...
  • orientation 'S emiconductor Physics, Quantum Electronics & Op toelectronics _ ...
  • C. Millon, C. Malhaire, D. Barbier ' Ti and TiOx ...
  • properties of sputtered PZT thin films' Sensors and Actuators A ...
  • Ye-Sul Jeung, Hyun-Uk Lee, et al. _ Annealing effect of ...
  • G. _ _ 'Electrical Properties of Sputtered PZT Films on ...
  • C. Millon, C. Malhaire, C. Dubois, D. Barbier' Control of ...
  • F.F.C. Duval, R.A. Dorey, R.H. Haigh, R.W. Whatmore' Stable TiO2/P ...
  • Ching-Liang Dai , Fu-Yuan Xiao, Chi-Yuan Lee, Ying-Chou Cheng, Pei-Zen ...
  • Abhishek Sivapurapu' PIEZ OEL E CTRICALLY -TRANS DUCED SILICON ...
  • مدیریت اطلاعات پژوهشی

    اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

    مقالات پیشنهادی مرتبط

    مقالات مرتبط جدید

    شبکه تبلیغات علمی کشور

    به اشتراک گذاری این صفحه

    اطلاعات بیشتر درباره COI

    COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
    کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.