اثر اکسید گالیوم بر ریز ساختار و نظم شبکه ای سرامیک Ba(Zn1/3Ta2/3)O3
سال انتشار: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,164
فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IMES02_328
تاریخ نمایه سازی: 20 مرداد 1391
چکیده مقاله:
سرامیکهای بر پایه Ba(Zn1/3Ta2/3)O3 یک گروه مهم از سرامیکهائی هستند که بعنوان رزناتورهای دی الکتریک در سیستمهای مورد استفاده در فرکانسهای مایکروویو مانند آنتن های تلفن های همراه بکار می روند. ترکیب Ba(Zn1/3Ta2/3)O3 بدون استفاده از کمک زینتر دانسیته ای حدوداً 51 درصد دانسیته تئوری در دمای زینتر °C1530 از خود نشان می دهد. با افزودن Ga2O3 به میزان 6/0 درصد وزنی دانسیته نسبی به بالاتر از حدود 97 درصد افزایش یافت. این افزایش بدلیل پیدایش فاز دومی است که اکسید گالیوم باعث بوجود آمدن آن میگردد. Ga همچنین علاوه بر حضور در فاز دوم، وارد شبکه Ba(Zn1/3Ta2/3)O3 نیز گردید. بررسی اثر Ga بر نظم شبکه ای توسط پراش اشعه X بدلیل ضعیف بودن پیکهای مربوط به سوپر ساختار میسّر نبود، به این دلیل از تکنیک SAD 1 در TEM 2 بدین منظور استفاده شد. این مطالعات نشان داد که حضور Ga در شبکه Ba(Zn1/3Ta2/3)O3 تغییری در نوع نظم (نظم 1:2) ایجاد نمی کند ولی با اینحال باعث تضعیف آن می گردد.
نویسندگان
کیوان اسدیان
استادیار، پژوهشگاه مواد و انرژی، کرج، مشکین دشت
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :