CIVILICA We Respect the Science
ناشر تخصصی کنفرانسهای ایران
عنوان
مقاله

تهیه پوشش محافظ اکسیداسیون نانو Si3N4/SiC بر روی گرافیت بوسیله روش های EPD و نیترایداسیون مستقیم

اعتبار موردنیاز : ۱ | تعداد صفحات: ۱۰ | تعداد نمایش خلاصه: ۳۶۷ | نظرات: ۰
سال انتشار: ۱۳۹۰
کد COI مقاله: IMES05_240
زبان مقاله: فارسی
حجم فایل: ۶۳۴.۸۸ کیلوبایت (فایل این مقاله در ۱۰ صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد)

راهنمای دانلود فایل کامل این مقاله

اگر در مجموعه سیویلیکا عضو نیستید، به راحتی می توانید از طریق فرم روبرو اصل این مقاله را خریداری نمایید.
با عضویت در سیویلیکا می توانید اصل مقالات را با حداقل ۳۳ درصد تخفیف (دو سوم قیمت خرید تک مقاله) دریافت نمایید. برای عضویت در سیویلیکا به صفحه ثبت نام مراجعه نمایید. در صورتی که دارای نام کاربری در مجموعه سیویلیکا هستید، ابتدا از قسمت بالای صفحه با نام کاربری خود وارد شده و سپس به این صفحه مراجعه نمایید.
لطفا قبل از اقدام به خرید اینترنتی این مقاله، ابتدا تعداد صفحات مقاله را در بالای این صفحه کنترل نمایید.
برای راهنمایی کاملتر راهنمای سایت را مطالعه کنید.

خرید و دانلود فایل مقاله

با استفاده از پرداخت اینترنتی بسیار سریع و ساده می توانید اصل این مقاله را که دارای ۱۰ صفحه است در اختیار داشته باشید.

قیمت این مقاله : ۳,۰۰۰ تومان

آدرس ایمیل خود را در کادر زیر وارد نمایید:

مشخصات نویسندگان مقاله تهیه پوشش محافظ اکسیداسیون نانو Si3N4/SiC بر روی گرافیت بوسیله روش های EPD و نیترایداسیون مستقیم

  محمودرضا شهریاری - کارشناسی ارشد مهندسی مواد -سرامیک دانشگاه تربیت مدرس
  پروین علیزاده - دانشیار گروه سرامیک دانشگاه تربیت مدرس
  سید علی خلیفه سلطانی - کارشناسی ارشد مهندسی مواد -سرامیک دانشگاه صنعتی مالک اشتر

چکیده مقاله:

در این پژوهش تلاش شد تا ظرفیت های روش ساده و ارزان قیمت الکتروفورز برای ایجاد پوشش مقاوم در برابر اکسیداسیون استفاده شود. بدین منظور بر روی پایه گرافیتی پوششی با نسبت 1:1 نانو SiC و Si تهیه شد. محیط اتانول از بین حلال های مختلف انتخاب و مقدار ید به عنوان ماده افزودنی به میزان 1/4g/L و زمان 180S و ولتاژ 40V به عنوان مقادیر بهینه برای تهیه این پوشش تعیین شدند. بررسی کینتیکی رفتار نشست، نشان دهنده پیروی از رفتار خطی و انحراف از آن در طی زمان با ضخیم شدن پوشش حین نشست است. سپس اسن پوشش جهت استحکام بخشی در دو دمای 1400 و 1450 درجه سانتیگراد واکنش نیتریداسیون مستقیم قرار گرفته و در نهایت دمای 1450 درجه سانتیگراد مناسب تر تشخیص داده شد. بررسی ساختار میکروسکوپی توسط SEM و تعیین فازها توسط XRD صورت گرفت.

کلیدواژه‌ها:

لایه نشانی الکتروفورتیک، گرافیت، نیتریداسیون مستقیم، محافظت در برابر اکسیداسیون

کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله

برای لینک دهی به این مقاله، می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:
https://www.civilica.com/Paper-IMES05-IMES05_240.html
کد COI مقاله: IMES05_240

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
شهریاری, محمودرضا؛ پروین علیزاده و سید علی خلیفه سلطانی، ۱۳۹۰، تهیه پوشش محافظ اکسیداسیون نانو Si3N4/SiC بر روی گرافیت بوسیله روش های EPD و نیترایداسیون مستقیم، پنجمین همایش مشترک انجمن مهندسی متالورژی ایران، اصفهان، انجمن علمی ریخته گری ایران، دانشگاه صنعتی اصفهان، https://www.civilica.com/Paper-IMES05-IMES05_240.html

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (شهریاری, محمودرضا؛ پروین علیزاده و سید علی خلیفه سلطانی، ۱۳۹۰)
برای بار دوم به بعد: (شهریاری؛ علیزاده و خلیفه سلطانی، ۱۳۹۰)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :

  • Sheehan, JE, Buesking, KW, Sullivan, BJ, _ _ Carbon-C arbon ...
  • Westwood, ME, Webster, JD, Day, RJ, Hayes, FH, Taylor, R, ...
  • Huang, JF, Li, HJ, Zeng, XR, Li, KZ, Xiong, XB, ...
  • H. J. Seifert, S. Wagner, et al. "Yttrium Silicate Coatings ...
  • Z. Peng, M. Liu, "Preparation of Dense Pl atinum-Yttria Stabilized ...
  • S. Novak, K. Mejak, et al., "The preparation of LPS ...
  • H. Jian-Feng, L. Miao, et al. "SiC, /SiC oxidation protective ...
  • trophoretically infiltrated silicon cع ۸-H. Streckert, K. Norton, et al., ...
  • H. Abdoli, M. Zarabian, et al., "Fabrication of aluminum nitride ...
  • R. C. Chiu, and M. J. Cima, "Drying of Granular ...
  • W. Lan, P. Xiao, "Constrained Drying of an Aqueous Yttria- ...
  • R. J., Lewis, "sax's dangerous properties of industerial materials." (10th ...
  • M. J. Santillan, A. Caneiro, et al., _ ectrophoretic Codeposition ...
  • R. N. Basu, C. A. Randall, et al., "Fabrication of ...
  • C. Ji, W. Lan, et al., "Fabrication of Yttri a-Stabilized ...
  • V. Pavarajarn, T. Vongthavorn, et al., "Enhancemet of direct nitridation ...
  • H. Ghanem, H. Gerhard, et al., "Paper derived SiC-Si, N, ...
  • Rabinovich, E. M. (1985). "Preparation of glass by sintering." Journal ...
  • R. Ramachandra Rao, T. S. Kannan, "Slip cast nitride-bonded silicon ...
  • Z. P. Xie, Y. B. Cheng, et al., "Formation of ...
  • C. P. Gazzara, D. R. Messier, _ :Determination of phase ...
  • A. J. Moulson, _ Reac tion-bonded silicon nitridle its formation ...
  • T. Itoh, "Preparation of pure d-silicon nitride from silicon powder". ...
  • علم سنجی و رتبه بندی مقاله

    مشخصات مرکز تولید کننده این مقاله به صورت زیر است:
    نوع مرکز: دانشگاه دولتی
    تعداد مقالات: ۲۵۸۳۵
    در بخش علم سنجی پایگاه سیویلیکا می توانید رتبه بندی علمی مراکز دانشگاهی و پژوهشی کشور را بر اساس آمار مقالات نمایه شده مشاهده نمایید.

    مدیریت اطلاعات پژوهشی

    اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

    مقالات پیشنهادی مرتبط

    مقالات مرتبط جدید

    شبکه تبلیغات علمی کشور

    به اشتراک گذاری این صفحه

    اطلاعات بیشتر درباره COI

    COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
    کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.