CIVILICA We Respect the Science
ناشر تخصصی کنفرانسهای ایران
عنوان
مقاله

Lattice Defects and the Electronic Properties of Semiconducting Materials

اعتبار موردنیاز : ۰ | تعداد صفحات: ۱ | تعداد نمایش خلاصه: ۵۵۰ | نظرات: ۰
سال انتشار: ۱۳۹۰
کد COI مقاله: IMES05_356
زبان مقاله: انگلیسی
حجم فایل: ۱۹.۳۹ کیلوبایت
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

راهنمای دانلود فایل کامل این مقاله

متن کامل این مقاله منتشر نشده و درپایگاه سیویلیکا موجود نمی باشد.

منبع مقالات سیویلیکا دبیرخانه کنفرانسها و مجلات می باشد. برخی از دبیرخانه ها اقدام به انتشار اصل مقاله نمی نمایند. به منظور تکمیل بانک مقالات موجود، چکیده این مقالات در سایت درج می شوند ولی به دلیل عدم انتشار اصل مقاله، امکان ارائه آن وجود ندارد.

خرید و دانلود فایل مقاله

متن کامل (فول تکست) این مقاله منتشر نشده و یا در سایت موجود نیست و امکان خرید آن فراهم نمی باشد

مشخصات نویسندگان مقاله Lattice Defects and the Electronic Properties of Semiconducting Materials

  Pirouz Pirouz - Department of Materials Science & Engineering, CWRU, Cleveland, OH 44106, U.S.A.

چکیده مقاله:

A perfect crystal described as an entity that has perfect translation, reflection, or rotation symmetry does not exist in nature, and even if it existed would not have any useful property. Nearly all the numerous attributes of a crystalline material, from its mechanical, electrical, optical and other properties, depend on the existence of lattice imperfections. In this talk we consider the influence of a particular type of lattice imperfection, namely line defects, on the electronic properties of a particular wide band gap semiconductor, SiC. This is one of the new generation of semiconductors which is currently the focus of much interest because electronic devices fabricated from SiC have novel applications at high temperatures or in environments where elevated temperature or radiation destroys devices made from conventional semiconductors, such as Si or GaAs. We consider bipolar SiC devices such as PiN diodes that enable higher blocking voltages at lower on-state resistances in comparison with silicon based devices. It has been found that under forward biasing, SiC bipolar devices rapidly degrade and this has so far hindered the development and commercialization of SiC electrical devices. We show how dislocations that extend from the substrate into the active regions of device during epitaxial growth are the primary culprits in the degradation of SiC bipolar devices. In particular, stacking faults that nucleate at basal plane dislocations rapidly expand by the phenomenon of recombination-induced glide (REDG) leading to an increase in the forward voltage drop that renders the device unsuitable for commercial applications. The structural details of onedimensional lattice defects in SiC, the driving force for their nucleation and propagation, the intricacies of REDG, and the steps that can be taken to minimize these effects will be discussed. The hope is that this example will show how the materials properties of various semiconductors, from elemental ones like silicon and germanium, to compound semiconductors like GaAs, SiC and GaN, play a predominant role in how a device behaves in real world and the role of material scientists in solving these problems.

کلیدواژه‌ها:

کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله

برای لینک دهی به این مقاله، می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:
https://www.civilica.com/Paper-IMES05-IMES05_356.html
کد COI مقاله: IMES05_356

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
Pirouz, Pirouz, ۱۳۹۰, Lattice Defects and the Electronic Properties of Semiconducting Materials, پنجمین همایش مشترک انجمن مهندسی متالورژی ایران, اصفهان, انجمن علمی ریخته گری ایران, دانشگاه صنعتی اصفهان, https://www.civilica.com/Paper-IMES05-IMES05_356.html

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (Pirouz, Pirouz, ۱۳۹۰)
برای بار دوم به بعد: (Pirouz, ۱۳۹۰)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

مدیریت اطلاعات پژوهشی

اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

مقالات مرتبط جدید

شبکه تبلیغات علمی کشور

به اشتراک گذاری این صفحه

اطلاعات بیشتر درباره COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.