مطالعه ی رفتار اکسیداسیون دما بالای پوشش های خودگداز NiCrBSi ایجاد شده به روش APS

در پژوهش حاضر، رفتار اکسیداسیون دما بالای پوشش های خودگداز NiCrBSi ایجاد شده به روش پاشش پلاسمایی اتمسفری ( APS ) مورد مطالعه و بررسی قرار گرفت. برای این منظور، آزمون اکسیداسیون هم دما دردمای °C 009 و و چهار زمان 50، 100، 150 و 200 ساعت در کوره ی الکتریکی با اتمسفر هوا روی پوشش ها انجام شد. ضخامت لایه ی اکسیدی رشد یافته ی حرارتی ( TGO ) به منظور بررسی نرخ رشد این لایه و مطالعه ی سینتیک اکسیداسیون اندازه گیری شد. ارزیابی پوشش ها قبل و بعد از آزمون اکسیداسیون، با استفاده از میکروسکوپ نوری، میکروسکوپ الکترونی روبشی، روش پراش سنجی پرتو ایکس و ضخامت سنجی توسط نرم افزار آنالیز تصویر انجام شد. نتایج آزمون اکسیداسیون دما بالا نشان دادند که نرخ رشد لایه ی TGO تشکیل شده بر روی پوشش پس از 200 ساعت آزمون اکسیداسیون در دمای 900°C، از نرخ رشد پارابولیک با توان 0/5 نیز کمتر بوده و پوشش NiCrBSi ایجاد شده به روش APS ، می تواند به عنوان پوششی محافظ در برابر اکسیداسیون دما بالا برای زیرلایه عمل کند. این رشد آهسته ی لایه ی TGO و محافظت مناسب پوشش در برابر اکسیداسیون دما بالا، به پدیده ی اکسیداسیون انتخابی عناصر سیلیسیم و کروم و ایجاد لایه های پیوسته ی SiO2 و Cr2O3 و نیز تشکیل اسپینل های (SiO4)Cr2 و Fe3O4 در لایه ی TGO نسبت داده شد.

کلیدواژه ها:

پاشش پلاسمایی اتمسفری ، پوشش NiCrBSi ، خودگداز ، اکسیداسیون ، TGO ، اسپینل