ارائه یک ترکیب کاربردی با اعمال دو روش Self-Cascode و DTMOS بر تقویت کننده های عملیاتی سوپر کلاس AB جهت کاربرد در مدارات ولتاژ پایین و کم مصرف

در این مقاله دو روش کاربردی Self-Cascode و DTMOS مورد بررسی قرار گرفت که ابتدا به صورت مجزا و سپس به صورت ترکیبی و همزمان بر روی تقویت کننده عملیاتی سوپرکلاس (Super Class AB OTA) AB در تکنولوژی 0.18μm CMOS اعمال گردید. نتایج حاصل از شبیه سازی با اعمال روش پیشنهادی اول، ولتاژ کاری را تا 0/5V ± کاهش داد و بهره ولتاژ آن برابر 52/66dB و پهنای باند مدار 89/7MHz گردید. با اعمال روش پیشنهادی دوم که در آن ولتاژ تغذیه 1/25V ± قرار داده شده بود، بهره ولتاژ 64/8dB و پهنای باند مدار 22/8MHz به دست آمد. بدون تغییر در اندازه ی ترانزیستورها و فقط با اعمال هر دو روش پیشنهادی فوق بر روی مدار، علاوه بر کاهش و تثبیت ولتاژ کاری مشابه مرحله اول افزایش بهره حلقه باز DC تا 74dB، افزایش CMRR تا 84/13dB ، کاهش توان مصرفی تا 80μW و رسیدن به پهنای باند 25/12MHz میسر گردید.

کلیدواژه ها:

، تکنولوژی 18μm ، CMOS Super Class AB OTA ، Self-Cascode ، FVF ، DTMOS