CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)
عنوان
مقاله

NANOSTRUTURES AND NANOTECHNOLOGIES AT SURFACES: AN AMAZING REVOLUTION IN SCIENCE

اعتبار موردنیاز: ۰ | تعداد صفحات: ۲ | تعداد نمایش خلاصه: ۱۰۴۴ | نظرات: ۰
سرفصل ارائه مقاله: سخنرانی های عمومی
سال انتشار: ۱۳۸۴
نوع ارائه: شفاهی
کد COI مقاله: IPC84_003
زبان مقاله: انگلیسی
حجم فایل: ۳۹۶.۲۳ کلیوبایت
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

راهنمای دانلود فایل کامل این مقاله

اصل مقاله فوق در بانک مقالات سیویلیکا موجود نیست. مقالات کنفرانس‌های کشور توسط دبیرخانه‌های مربوط منتشر می‌شوند و در صورتی که اصل مقاله توسط دبیرخانه منتشر نشده باشد، امکان ارائه آن توسط سیویلیکا وجود ندارد. در صورتی که نویسنده این مقاله هستید، می‌توایند اصل مقاله را جهت درج در بانک مقالات به سیویلیکا ارسال نمایید.

خرید و دانلود PDF مقاله

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

مشخصات نویسندگان مقاله NANOSTRUTURES AND NANOTECHNOLOGIES AT SURFACES: AN AMAZING REVOLUTION IN SCIENCE

Patrick Soukiassian - Université Paris-Sud, Orsay, France

چکیده مقاله:

The general trend in condensed matter physics is toward smaller objects having a low dimensionality, 2D, 1D and 0D. This is of strong fundamental interest since these nano-objects have very different physical properties. Also, they are potentially very useful in technology like e.g. in microelectronics where the density of integration is doubling every 18 months (Moore law). However, such a “downsizing up-down” approach will, within less than a decade, reach physical limits. Therefore, a “bottom-up” approach has to be considered in nano-object fabrication. This includes atom-manipulation and/or the implementation of self-organized mechanisms to fabricate nanostructures having advanced properties. It requires the atomic scale control and understanding of surfaces and the use of state-of-the-art experimental techniques and theoretical approaches. Silicon carbide (SiC) is a wide band gap IV-IV compound semiconductor having a strong interest in advanced applications such as high temperature, high power, high frequency electronic devices/sensors and in nanotechnology. In addition, it is one of the best biocompatible material. SiC exists in more than 170 different polytypes including cubic ( ), hexagonal ( ) and rhombohedric phases. Cubic SiC surface properties and nanostructures are investigated by advanced experimental techniques including: i) atom-resolved scanning tunneling microscopy (STM) and spectroscopy (STS), ii) synchrotron radiation-based core level/valence band photoemission spectroscopies, iii) infrared absorption spectroscopy (IRAS) and iv) grazing incidence X-ray diffraction. Among some of the discoveries, the following ones will be presented and discussed: • Massively parallel self-organized Si atomic lines having unprecedented characteristics with very long lengths ≥ 1 µm and the highest thermal stability ever achieved for nanostructures (> 900°C) - Fig. 1, [1,2]. • sp3 C atomic lines formation and sp sp3 diamond-type surface transformation of the C-terminated -SiC(100) c(2x2) surface reconstruction (Fig. 2), [3]. • The first example of H-induced semiconductor surface metallization resulting from H atoms inducing an asymmetric attack on the Si-Si sub-surface dangling bonds of the -SiC(100) 3x2 surface reconstruction. The metallization process results from a H-creating a specific defect coming from competition between hydrogen termination of surface dangling bonds and hydrogen-generated steric hindrance below the surface (Fig. 3) [4]. In addition, H is found to also metallize pre-oxidized -SiC(100) 3x2 surfaces [5]. This very interesting feature resulting from H-stabilized metallization directly impacts the ability to eliminate electronic defects at semiconductor interfaces critical for microelectronics, provides means to develop electrical contacts on wide band-gap chemically passive materials, particularly exciting for interfacing e.g. with biological systems. Such systems could also exhibit interesting frictional behavior, with hydrogen acting as an atomic scale “lubricant”, important e.g. for passive elements of nano-motors. All these characteristics are unprecedented. They show a novel aspect of SiC in its ability to also be a very promising material in nanotechnologies.

کلیدواژه‌ها:

کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله

برای لینک دهی به این مقاله، می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:
https://www.civilica.com/Paper-IPC84-IPC84_003.html
کد COI مقاله: IPC84_003

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
Soukiassian, Patrick, ۱۳۸۴, NANOSTRUTURES AND NANOTECHNOLOGIES AT SURFACES: AN AMAZING REVOLUTION IN SCIENCE, کنفرانس فیزیک ایران 1384, خرم آباد, دانشگاه لرستان, https://www.civilica.com/Paper-IPC84-IPC84_003.html

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (Soukiassian, Patrick, ۱۳۸۴)
برای بار دوم به بعد: (Soukiassian, ۱۳۸۴)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

مدیریت اطلاعات پژوهشی

اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

مقالات مرتبط جدید

شبکه تبلیغات علمی کشور

به اشتراک گذاری این صفحه

اطلاعات بیشتر درباره COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.