CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)
عنوان
مقاله

رشد اکسید سیلیکان در دمای خیلی پایین به کمک پلاسمای اکسیژن و نانوبلورهای سیلیکان برای ساخت ترانزیستورهای لایة نازک بر بستر انعطاف پذیر

اعتبار موردنیاز: ۱ | تعداد صفحات: ۳ | تعداد نمایش خلاصه: ۱۰۰۷ | نظرات: ۰
سرفصل ارائه مقاله: ماده چگال - فیزیک لایه های نازک
سال انتشار: ۱۳۸۴
نوع ارائه: شفاهی
کد COI مقاله: IPC84_011
زبان مقاله: فارسی
حجم فایل: ۲۱۰.۸۳ کلیوبایت
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

راهنمای دانلود فایل کامل این مقاله

اصل مقاله فوق در بانک مقالات سیویلیکا موجود نیست. مقالات کنفرانس‌های کشور توسط دبیرخانه‌های مربوط منتشر می‌شوند و در صورتی که اصل مقاله توسط دبیرخانه منتشر نشده باشد، امکان ارائه آن توسط سیویلیکا وجود ندارد. در صورتی که نویسنده این مقاله هستید، می‌توایند اصل مقاله را جهت درج در بانک مقالات به سیویلیکا ارسال نمایید.

خرید و دانلود PDF مقاله

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

مشخصات نویسندگان مقاله رشد اکسید سیلیکان در دمای خیلی پایین به کمک پلاسمای اکسیژن و نانوبلورهای سیلیکان برای ساخت ترانزیستورهای لایة نازک بر بستر انعطاف پذیر

پویا هاشمی - آزمایشگاه تحقیقاتی لایة نازک ، گروه مهندسی برق و کامپیوتر ، دانشکدة ف
سیدشمس الدین مهاجرزاده - آزمایشگاه تحقیقاتی لایة نازک ، گروه مهندسی برق و کامپیوتر ، دانشکدة ف
یاسر عبدی - آزمایشگاه تحقیقاتی لایة نازک ، گروه مهندسی برق و کامپیوتر ، دانشکدة ف
نیما ایزدی - آزمایشگاه تحقیقاتی لایة نازک ، گروه مهندسی برق و کامپیوتر ، دانشکدة ف

چکیده مقاله:

در این مقاله، برای نخستین بار، روشی برای رشد اکسید سیلیکان در دمای بسیار پایین ارایه می شود . به کمک مراحل متوالی هیدروژناسیون در محیط پلاسما و حرارات دهی، که خود روش نوینی است، لایه سیلیکان بی شکل به ساختار نانو بلور بدل می شود . با کنترل شرایط هیدروژناسیون می توان نانو بلورهایی را با اندازه متوسط دانه یک تا ده نانو متر ایجاد کرد . به کمک اکسیداسیون در محیط پلاسمای RF ، اکسیژن در بین این نانو دانه ها نفوذ می کند و به تدریج کل نانو دانه را به اکسید تبدیل می نماید . این روش می تواند جایگزین روش لایه نشانی اکسید، که عموما در ساخت ترانزیستور های لایه نازک که بر بستر انعطاف پذیر ساخته می شوند، گردد . همچن ین کیفیت اکسید رشد داده شده با آنالیزهایTEM ، SEMو آنالیز ناهمواری (Dectak) مورد بررسی قرار گرفته است.

کلیدواژه‌ها:

کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله

برای لینک دهی به این مقاله، می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:
https://www.civilica.com/Paper-IPC84-IPC84_011.html
کد COI مقاله: IPC84_011

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
هاشمی, پویا؛ سیدشمس الدین مهاجرزاده؛ یاسر عبدی و نیما ایزدی، ۱۳۸۴، رشد اکسید سیلیکان در دمای خیلی پایین به کمک پلاسمای اکسیژن و نانوبلورهای سیلیکان برای ساخت ترانزیستورهای لایة نازک بر بستر انعطاف پذیر، کنفرانس فیزیک ایران 1384، خرم آباد، دانشگاه لرستان، https://www.civilica.com/Paper-IPC84-IPC84_011.html

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (هاشمی, پویا؛ سیدشمس الدین مهاجرزاده؛ یاسر عبدی و نیما ایزدی، ۱۳۸۴)
برای بار دوم به بعد: (هاشمی؛ مهاجرزاده؛ عبدی و ایزدی، ۱۳۸۴)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :

  • B. E. Deal and A. S. Grove;، General Relationship for ...
  • J. H. Kim; E. Y. Oh; B. _ Ahn; D. ...
  • J. D. Plummer; M. Deal and P. B. Griffin;، ,Silicon ...
  • مدیریت اطلاعات پژوهشی

    اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

    مقالات مرتبط جدید

    شبکه تبلیغات علمی کشور

    به اشتراک گذاری این صفحه

    اطلاعات بیشتر درباره COI

    COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
    کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.