CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)
عنوان
مقاله

اثر بازپخت برروی تشکیل فاز β−SiC در نمونه های سیلیکونی بمباران شده با متان؛ مشخصه یابی به کمک طیف سنجی FTIR

اعتبار موردنیاز: ۱ | تعداد صفحات: ۳ | تعداد نمایش خلاصه: ۹۹۰ | نظرات: ۰
سرفصل ارائه مقاله: ماده چگال
سال انتشار: ۱۳۸۴
نوع ارائه: پوستر
کد COI مقاله: IPC84_075
زبان مقاله: فارسی
حجم فایل: ۲۱۰.۳۴ کلیوبایت
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

راهنمای دانلود فایل کامل این مقاله

اصل مقاله فوق در بانک مقالات سیویلیکا موجود نیست. مقالات کنفرانس‌های کشور توسط دبیرخانه‌های مربوط منتشر می‌شوند و در صورتی که اصل مقاله توسط دبیرخانه منتشر نشده باشد، امکان ارائه آن توسط سیویلیکا وجود ندارد. در صورتی که نویسنده این مقاله هستید، می‌توایند اصل مقاله را جهت درج در بانک مقالات به سیویلیکا ارسال نمایید.

خرید و دانلود PDF مقاله

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

مشخصات نویسندگان مقاله اثر بازپخت برروی تشکیل فاز β−SiC در نمونه های سیلیکونی بمباران شده با متان؛ مشخصه یابی به کمک طیف سنجی FTIR

  حسن دیباجی - سازمان انرژی اتمی ایران، مرکز تحقیقات کشاورزی و پزشکی هسته ای مرکز کرج
  مجید مجتهدزاده - سازمان انرژی اتمی ایران، مرکز تحقیقات کشاورزی و پزشکی هسته ای مرکز کرج
  محسن صالح کوتاهی - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی، دانشکده علوم، گروه فیزیک
  عبدالجواد نوین روز - سازمان انرژی اتمی ایران، مرکز تحقیقات کشاورزی و پزشکی هسته ای مرکز کرج

چکیده مقاله:

گاز متان با انرژی 90 keV و گستره دز از / cm 2 یون 4 ×10به توان 17 تا 3/2 ×10 به توان 18 درون سیلیکون کاشته شده است . دمای زیر لایه ها در حین کاشت 570 0 C و بازپخت بعدی در دمای 980 0 C بوده است . اندازه گیری های FTIR نشان می دهد که بلافاصله بعد از کاشت، پیوند بین کربن و سیلیکون برقرار شده و کاربید سیلیکون آمورف هیدروژن دار ) ) a−SiC : H تشکیل و بعد از بازپخت، لایه های آمورف به β −SiC تبدیل شده اند . در این مقاله نشان داده شده است که میزان کریستالیزه شدن β −SiC از دز / cm 2 یون 4 ×10 به توان 17 تا دز 1/2 × 10به توان 18 افزایش و بعد از این دز تا 3/2 × 10به توان 18 کاهش یافته است . بنابراین دز بهینه ای برای تشکیل β −SiC وجود دارد . همچنین در این مقاله ضخامت لایه ها بوسیله طیف سنجی FTIR محاسبه شده است

کلیدواژه‌ها:

کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله

برای لینک دهی به این مقاله، می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:
https://www.civilica.com/Paper-IPC84-IPC84_075.html
کد COI مقاله: IPC84_075

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
دیباجی, حسن؛ مجید مجتهدزاده؛ محسن صالح کوتاهی و عبدالجواد نوین روز، ۱۳۸۴، اثر بازپخت برروی تشکیل فاز β−SiC در نمونه های سیلیکونی بمباران شده با متان؛ مشخصه یابی به کمک طیف سنجی FTIR، کنفرانس فیزیک ایران 1384، خرم آباد، دانشگاه لرستان، https://www.civilica.com/Paper-IPC84-IPC84_075.html

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (دیباجی, حسن؛ مجید مجتهدزاده؛ محسن صالح کوتاهی و عبدالجواد نوین روز، ۱۳۸۴)
برای بار دوم به بعد: (دیباجی؛ مجتهدزاده؛ صالح کوتاهی و نوین روز، ۱۳۸۴)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :

  • R.F.Davis, G.Kelner, M.Shur, J.W.Pamour, J.A.Edmond, Proc.IEEE 79 (1991) 677. ...
  • Y.Hamakawa, T.Toyama, H.Okamoto, J.Non-Cryst. Solids 115 (1989) 180. ...
  • P.Melinon, X.Blase, P.Keghelian, A.Perez, M.Pellarin, M.Broyer, A.M.Flank, P.Lagarde, Phys.Rev.B 65 ...
  • K.Volz, W.Ensinger, B . Rauschenbach _ B.Stritziteker, NIMB 141 (1998) ...
  • K.Volz, K.Baba, R.Hatada, W.Ensibger, Surface and Coatings technology 136 (2001) ...
  • K.Volz, Ch.Klatt, W.Ensinger, NIMB 175-177 (2001) 569-574. ...
  • K.Volz, W.Ensinger, Surface and Coatings technology 156 (2002) 237- 243. ...
  • An.Zhenghau and et al, Thin Solid films 447-448 (2004) 153-157. ...
  • C.S.Murthy, M.Posselt, and T.Frei, J.Vac. Sci.Technol. B 14, 278 (1996) ...
  • G.Foti, Applied Surface Science 184 (2001) 20-26. ...
  • C.J.Mogab, J. Electrochem. Soc, 120 (1973) 932. ...
  • P.Durupt and et al, Thin Solid Films, 90 (1982) 353-357. ...
  • علم سنجی و رتبه بندی مقاله

    مشخصات مرکز تولید کننده این مقاله به صورت زیر است:
    نوع مرکز:
    تعداد مقالات: ۲۰۱۳
    در بخش علم سنجی پایگاه سیویلیکا می توانید رتبه بندی علمی مراکز دانشگاهی و پژوهشی کشور را بر اساس آمار مقالات نمایه شده مشاهده نمایید.

    مدیریت اطلاعات پژوهشی

    اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

    مقالات مرتبط جدید

    شبکه تبلیغات علمی کشور

    به اشتراک گذاری این صفحه

    اطلاعات بیشتر درباره COI

    COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
    کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.