بررسی تاثیر ناخالصی سیلیکون در شکل گیری عیوب کریستالی در ماده گالیم نیتراید
محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۴
سال انتشار: 1384
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 2,630
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC84_086
تاریخ نمایه سازی: 5 اسفند 1385
چکیده مقاله:
در این کار تجربی اثرات ناخالصی سیلیکون در شکل گیری عیوب کریستالی در ماده گالیم نیتراید مورد بررسی قرار گرفته است . بررسی های انجام شده بر روی دو نمونه گالیم نیتراید با ناخالصیهای متفاوت از سیلیکون نشان می دهد که افزایش ناخالصی فوق موجب کاهش عیوب کریستالی و توزیع یکنواخت تر آنها در ماده می شود . با توجه به اینکه عیوب کریستالی مانند تله هائی برای حاملها عمل می کنند کاهش عیوب کریستالی در ماده موجب افزایش تحرک پذیری حاملها در ماده گردیده و در نتیجه گالیم نیتراید خواص الکتریکی بهتری را از خود نشان خواهد داد
نویسندگان
حسین مختاری
گروه فیزیک دانشگاه یزد
نیره صحتی
گروه فیزیک دانشگاه یزد
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :