بررسی تاثیر ناخالصی سیلیکون در شکل گیری عیوب کریستالی در ماده گالیم نیتراید

سال انتشار: 1384
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 2,630

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

IPC84_086

تاریخ نمایه سازی: 5 اسفند 1385

چکیده مقاله:

در این کار تجربی اثرات ناخالصی سیلیکون در شکل گیری عیوب کریستالی در ماده گالیم نیتراید مورد بررسی قرار گرفته است . بررسی های انجام شده بر روی دو نمونه گالیم نیتراید با ناخالصیهای متفاوت از سیلیکون نشان می دهد که افزایش ناخالصی فوق موجب کاهش عیوب کریستالی و توزیع یکنواخت تر آنها در ماده می شود . با توجه به اینکه عیوب کریستالی مانند تله هائی برای حاملها عمل می کنند کاهش عیوب کریستالی در ماده موجب افزایش تحرک پذیری حاملها در ماده گردیده و در نتیجه گالیم نیتراید خواص الکتریکی بهتری را از خود نشان خواهد داد

نویسندگان

حسین مختاری

گروه فیزیک دانشگاه یزد

نیره صحتی

گروه فیزیک دانشگاه یزد

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • D. W. Jenkins and J. _ Dow, Phys. Rev. B ...
  • S. Lester, F. A. Ponce et al, Appl. Phys. Lett. ...
  • W. Qian et al, Appl. Phys. Lett. 66 1252 (1995). ...
  • T. Humphreys et al, Mater. Res. Soc. Symp. Proc, Pittsburgh, ...
  • S. I. Molina et al, Appl. Phys. Lett. 74 3362 ...
  • S. Ruvimov et al, Appl. Phys. Lett. 69 990 (1996). ...
  • نمایش کامل مراجع