مدلسازی رفتار الکتریکی و شبیه سازی میدانی افزارة خود تعریف گسیل میدانی ساخته شده با نانولوله های کربنی با روش حل معادلات حاکم بر آن

سال انتشار: 1385
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,252

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

IPC85_022

تاریخ نمایه سازی: 13 بهمن 1385

چکیده مقاله:

یکی از مشکلات عمده در ساخت افزاره های نانومتری کنترل پذیری پایین این افزاره ها , چه در مراحل ساخت و چه در مراحل اندازه گیری است، لذا در این مقاله با حل تحلیلی معادلات حاکم بر افزارة ساخته شده با نانولوله های کربنی توانستیم شرایط مناسب جهت ساخت آن را فراهم کنیم و رفتار آن را با توجه به مدل که ارائه خواهد شد، بهینه سازی کنیم . مسالة مهمی که وجود دارد رفتار کوانتمی جالبی است که افزاره های نانومتری در این ابعاد از خود نشان می دهند

نویسندگان

جواد کوهسرخی

آزمایشگاه لایه نازک , دانشکده برق و کامپیوتر , دانشگاه تهران

یاسر عبدی

آزمایشگاه لایه نازک , دانشکده برق و کامپیوتر , دانشگاه تهران ، گروه فیز

شمس الدین مهاجرزاده

آزمایشگاه لایه نازک , دانشکده برق و کامپیوتر , دانشگاه تهران

مایکل رابرتسون

گروه فیزیک , دانشگاه آکادیا ، کانادا