بررسی اثر کاشت هیدروژن بر روی شبکه بلوری SiC در مقیاس نانومتر با روش های AFM و RBS-Channeling
محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران 1385
سال انتشار: 1385
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,422
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC85_100
تاریخ نمایه سازی: 13 بهمن 1385
چکیده مقاله:
در این مقاله اثر کاشت هیدروژن در ساختار سطحی بلور 6H-SiC مورد بررسی قرار گرفته است . سطح بلور در دو ناحیه کاشت شده و بدون کاشت با کمکAFM بررسی و مقایسه شده است . کیفیت ساختار بلوری و اثر کاشت هیدروژن در عمق بلور با استفاده از آنالیز RBS-Channeling مطالعه گردیده است افزایش نایکنواختی سطح در ناحیه کاشت شده را نسبت به ناحیه بدون کاشت نشان می دهند . اما نشانه ای از تاثیر کاشت بر روی نانوخراش AFM نتایج آزمایش های ایجاد شده بعد از فرآیند زدایش دیده نمی شود . همچنین، ایجاد آسیب شبکه ای بر اثر برخورد هیدروژن با اتم های سیلیکان و کربن در نتایج آنالیز کانال زنی دیده می شود
نویسندگان
علی باقی زاده
بخش فیزیک هسته ای، مرکز تحقیقات هسته ای، سازمان انرژی اتمی ایران، تهر
مهرداد شیروانی
بخش لیزر نیمه هادی، مرکز تحقیقات لیزر، سازمان انرژی اتمی ایران، تهرا
داود آقاعلی گل
بخش فیزیک هسته ای، مرکز تحقیقات هسته ای، سازمان انرژی اتمی ایران، تهر
محمد فرمینی فراهانی
بخش فیزیک هسته ای، مرکز تحقیقات هسته ای، سازمان انرژی اتمی ایران، تهر