مطالعه نقش پردازش لیزری در حضور میدان مغناطیسی ضعیف طولی در ایجاد پاسخ امپدانسی CoFeSiB نامتقارن نوارهای آمورف کبالت پایه

سال انتشار: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,535

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

IPC86_049

تاریخ نمایه سازی: 20 دی 1385

چکیده مقاله:

پاسخ امپدانسی نامتقارن (AMI) به دلیل بهبود بیشتر کارایی حسگرهای میکرومغناطیسی از نظر حساسیت میدانی و خطی بودن دارای اهمیت بسیار است . این رفتار برای نوارهای آمورف Co68.15Fe 4.35Si 12.5B15 پردازش شده با لیزر پالسی Nd:YAG با طول موج 1064 nm و با تغییر پارامتر نرخ تکرار پالس، در هوا و طی اعمال میدان مغناطیسی طولی 3 Oe بررسی شده است . نتایج نشان دهنده آن است که علیرغم برخورداری نمونه خام از مقدار ناچیز ضریب نامتقارنی ، رفتار پاسخ امپدانسی نامتقارن در نرخ تکرار پالس مختلف به یک شکل ظاهر نمی شود؛ در حالیکه با اعمال میدان مغناطیسی ضعیف حین پردازش لیزری رفتاری همسان به صورت القای میدان ناهمسانگردی دیگری در نمونه ها و ظهور عدم تقارن در منحنی MI حول میدان مغناطیسی صفر دیده می شود . تفاوت در پاسخ امپدانسی نامتقارن در نرخ تکرار پالس لیزری را می توان به ناهمسانگردی متفاوتی که به ازای شرایط پردازش مختلف حاصل می شود، نسبت داد .

نویسندگان

مجید قناعت شعار

پژوهشکده لیزر و پلاسما، دانشگاه شهید بهشتی

نجمه نبی پور

پژوهشکده لیزر و پلاسما، دانشگاه شهید بهشتی

محمدمهدی طهرانچی

پژوهشکده لیزر و پلاسما، دانشگاه شهید بهشتی

سیده مهری حمیدی

پژوهشکده لیزر و پلاسما، دانشگاه شهید بهشتی