ترابرد الکترونی در نانوساختارهای مغناطیسی با دو سد پتانسیل و شیر اسپینی

در این مقاله با استفاده از فرمولبندی کلدیش، ترابرد الکترون در یک چند لایهای مغناطیسی متشکل از دو سد پتانسیل که در بین آنها ساختار شیر اسپینی قرار گرفته و مجموعه بین دو الکترود فرومغناطیس واقع شده، بررسی شده است . برای این ساختار مقاومت مغناطیسی بر حسب ولتاژ بایاس، محاسبه شده است . نتایج به خوبی نشان میدهد که مقاومت مغناطیسی تونلی در این ساختار به سبب تونل زنی تشدیدی مقدار نسبتاً بزرگی است .