تهیه اکسید روی نانومتری به روش مکانوشیمیایی و تعیین گاف انرژی آن

در این پژوهش، ذرات نانومتری اکسید روی با فرایند مکانوشیمیایی و پخت پس از آن تهیه شد . نخست نانو ذرات اگزالات روی (ZnC2O4.2H2O)با فرایند مکانوشیمیایی حالت جامد و با آسیاب کاری مواد اولیه یH2C2O4.2H2Oو Zn(CH3COO)2.2H2O به مدت 90 دقیقه در دمای اتاق به دست آمد . سپس پودر به دست آمده در دماهای گوناگون از 350 تا 500 درجه سانتیگراد گرما داده شد و پودر نانومتری اکسید روی در کمینه دمای 375 درجه سانتیگراد به دست آمد . الگوی پراش پرتو ایکس نشان می دهد که نانوذرات اکسید روی در ساختار بلورین شش گوشی ( وورتسایت ) تشکیل شده اند . میانگین اندازه ذرات اکسید روی با توجه به دمای پخت بین 16 تا 25 نانومتر به دست آمد . انرژی فعال سازی برای رشد بلورک های اکسید روی از فرمول اسکات محاسبه شد . مشخصه جریان - ولتاژ اکسید روی نانومتری تک فاز تهیه شده دردمای 375 º Cبه دست آمد و گاف انرژی آن با رسم LnR بر حسب1/T محاسبه گردید