بررسی پاشندگی پلاریتون سطحی مگنتو پلااسمون در ابر شبکه های آلائیده - غیر آلائیده GaN-AlN

تنسور دی الکتریک محیط م ؤثر ابر شبکه برای شرح پاسخ نـوری ابـر شـبکه نیمرسـانای آلائیـده - غیـر آلائیـده GaN-AlN در میـدان مغناطیسی خارجی بکار برده شده است . منحنی پاشند گی پلاریتون سطحی مگنتوپلاسمون برای ابـر شـبکه هـای آلائیـده - غیـر آلائیـده GaN-AlN محاسبه شده است . خواص پلاریتون سطحی برای هندسه های عمودی ( میدان مغناطیسی اعمال شده عمود بر سـطح لایـه ها می باش د ) و فاراده ( میدان مغناطیسی موازی سطح لایه ها و بردار عبور می باشد ) به تفصیل مورد بحـث قـرار گرفتـه اسـت و نتـایج بدست آمده با یکدیگر مقایسه شده اند . منحنی های پاشنگی محاسیه شده برای ابر شبکه هـای آلائیـده - غیـر آلائیـده GaN-AlN بـه تغییرات میدان مغناطیسی اعمال شده و کسر حجمی لایه آلائیده حساس می باشند .