مطالعه قیاسی ماسفت یونیزاسیون برخوردی تک و دو گیتی نوع p در ابعاد نانو

در این مقاله افزاره بدیع ماسفت دو گیتی یونیزاسیون برخوردی نوع (DG p-IMOS) p با فناوری سیلسیم بر روی عایق (SOI ( پیشنهاد گردیده است . شبیه سازیهای انجام شده در دمای 400 K بیانگر آن است که این افزاره در مقایسه با ماسفت تک گیتی یونیزاسیون برخوردی نوع (SG p-IMOS ) p متنـاظر خود، دارای شیب زیرآستانه و ولتاژ آستانه کمتری است . به علاوه DG p-IMOS نسبت جریان حالت روشـن بـه حالـت خـاموش (ION / IOFF) و نیـز هدایت انتقالی بیشتری در مقایسه با SG p-IMOS دارد . کاهش ضخامت بدنه در DG p-IMOS سبب کاهش ولتاژ آستانه و افزایش نسبت جریان حالـت روشن به حالت خاموش(ION / IOFF) می گردد . همچنین ولتاژ آستانه افزاره به ازاء فاصله ثابت بین سورس و درین، با کاهش طول گیت کاهش می یابد