بررسی تجربی و مدلسازی اثر میدان مغناطیسی بر روی رشد نانولوله های کربنی

در این مقاله اثر میدان مغناطیسی بر رشد نانولوله های کربنی برروی زیر لایۀ سیلیسیومی در حضور کاتالیست نیکل با استفاده از روش لایه نشانی با بخار شیمیایی به کمک پلاسما بررسی شده است. مشاهده شده است که راستای رشد نانولوله ها و میزان زاویۀ خمش آنها نسبت به راستای عمود متأثر از شدت میدان مغناطیسی اعمالی در هنگام رشد آنها است. همچنین مدلی برای نحوه رشد نانولوله ها در حضور میدان مغناطیسی ارایه شده است که نتایج آن با نتایج تجربی سازگار است.