مطالعه مدهای نقص در بلورهای فوتونی یک بعدی با استفاده از روش تحلیلی

در این مقاله، اثر نقص مربوط به مواد راستگرد و چپگرد در بلور فوتونیکی یک بعدی با بهره گیری از روش تحلیلی مبتنی بر ماتریس انتقال مورد مطالعه قرار گرفته شده است. نشان داده شده است که مدهای نقص جایگزیده حاصله از مواد راستگرد دارای پاشندگی مثبت بوده و درحالیکه در مواد چپگرد این پاشندگی می تواند منفی ویا تقریباً صفر باشد. در این کار وابستگی موقعیت این مدها به پارامترهای فیزیکی لایه نقص نظیر ثابت دی الکتریک گزارش شده است .