زمان تونل زنی قطبیده اسپینی در سدهای تکی و دوتایی از نیمرسانای مغناطیسی رقیق II-IV

سال انتشار: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,045

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

IPC88_053

تاریخ نمایه سازی: 28 دی 1388

چکیده مقاله:

در این مقاله، زمان تونل زنی وابسته به اسپین در دو نمونه نانو ساختار نامتجانس سه لایه ای و پنج لایه ای متشکل از ZnSe / ZnMnSe تحت تاثیر میدان های الکتریکی و مغناطیسی به طور نظری بررسی و مقایسه می شوند. لایه های ZnMnSe در حضور میدان مغناطیسی به صورت فیلتر اسپینی عمل می کنند. بنابراین زمان تونل زنی رفتار متفاوتی را در عبور از دو ساختار مذکور نشان می دهد. زمان تونل زنی برای الکترونها به انرژی فرودی، مقدار میدان خارجی و جهت گیری اسپین الکترونها وابسته است. نتایج بدست آمده از این مقاله می تواند در طراحی و ساخت وسایل الکترونیکی سرعت بالا مفید واقع شود.

نویسندگان

مرجان سمندرعلی اشتهاردی

گروه فیزیک، دانشگاه پیام نور ( مرکز مشهد)

علی اصغر شکری

گروه فیزیک، دانشگاه پیام نور( مرکز تهران) -آزمایشگاه تحقیقاتی علوم مح