تاثیر بازپخت بر افزایش بازدهی کوانتومی داخلی در سلول خورشیدی با نیمرسانای نیتروژندار رقیق با ساختار n+ GaAs/p GaInNAs
محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران 1388
سال انتشار: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 950
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC88_106
تاریخ نمایه سازی: 28 دی 1388
چکیده مقاله:
ما در این مقاله به بررسی اثر بازپخت بر بازدهی کوانتومی داخلی یک سلول خورشیدی با نیمرسانای نیتروژندار رقیق با ساختار n+ GaAs/p GaInNAs که به روش MOCVD رشد داده شده است پرداخته ایم . داده های تجربی حاکی از آن است که عمل بازپخت به افزایش بازده کوانتومی قطعه می انجامد. در اینجا ما به طور کمی مهم ترین پارامترهای وابسته شامل پهنای ناحیه تهی و طول پخش حامل های اقلیت را مورد مطالعه قرار داده ایم. در این مدلسازی تاثیر وابستگی ضریب جذب این ماده یعنی GaInNAs نیز در نظر گرفته شده است. محاسبات ما نشانگر آن است که افزایش پهنای ناحیه تهی (حدود 0/1 میکرو ن) بر اثر بازپخت مهمترین عامل در بالا رفتن بازدهی کوانتومی این سلول خورشیدی است. این نتیجه نظری با اندازه گیری های تجربی گزارش شده سازگار است.
نویسندگان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :