اثر دما بر جریان الکترونی چاه کوانتمی دو بعدی در ترانزیستورهای تحرک پذیر بالای الکترونی AlGaN/GaN

در این مقاله یک مدل تحلیلی - عددی برای جریان الکترونی چاه کوانتمی دو بعدی ترانزیستورهای اثرمیدان AlGaN/GaN ارائه شده که قادر می سازد بطور دقیق اثر دما را برجریان الکترونی چاه کوانتمی دو بعدی بدست آوریم. در این مدل زیر باندهای پر ونیمه پر چاه کوانتمی دو بعدی ، بهمراه ترکیبی از حل خودسازگار معادله شرودینگر و پواسون و همچنین وابستگی به دمای گاف نواری ، تراکم الکترونی چاه کوانتمی، ولتاژ آستانه، تحرک الکترونی، ثابت دی الکتریک ،چگالی بار قطبش القایی منظور شده است . نتایج حاصله از مدل تطابق خوبی با داده های تجربی موجود برای ساختار ترانزیستورهایی با تحرک پذیری بالای الکترونی را دارد.