تخمین ضریب پخش الکترون در یک نیمرسانای نانوساختار با نظم جزئی به روش گشت تصادفی
محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران 1393
سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 213
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC93_382
تاریخ نمایه سازی: 5 آذر 1398
چکیده مقاله:
فرایند پخش الکترون توام با بدام افتادن در یک نانوساختار تقریبا منظم شبیهسازی میشود. در اینجا خوشه تراوشکننده نسبتا منظمی از اشغال جزئی جایگاه های شبکه مکعبی توسط نانوذرات نیمرسانا و به کمک نظریه تراوش جایگاهی ساخته شده است. در حجم هر نانوذره چگالی مشخصی از حالتهای انرژی وجود دارد ضریب پخش t که با توزیع نمایی در باند ممنوعه نیمرسانا جایگزیده شدهاند. با شبیهسازی به روش گشت تصادفی از میانگین مربع جابجایی الکترون در مدت زمان را محاسبه و نقش مولفه های ساختار هندسی چون تخلخل، عدد همارایی، عامل زبری سطح و نظم را بر ضریب پخش الکترون بررسی میکنیم. مشاهده میشود که با کاهش تخلخل ضریب پخش کاهش مییابد و در مقایسه با خوشه های بینظم پخش با سرعت بیشتری انجام میشود.
نویسندگان
حکیمه کوچی
گروه فیزیک دانشگاه بیرجند، انتهای بلوار شهید آوینی، بیرجند
فاطمه ابراهیمی
گروه فیزیک دانشگاه بیرجند، انتهای بلوار شهید آوینی، بیرجند.گروه پژوهشی انرژی خورشیدی، دانشگاه بیرجند