COMPARISON OF WIDE BANDGAP SEMICONDUCTORS FOR POWER APPLICATIONS
محل انتشار: هشتمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق
سال انتشار: 1384
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 1,683
فایل این مقاله در 10 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE08_033
تاریخ نمایه سازی: 1 اسفند 1386
چکیده مقاله:
Recent development advances have allowed have allowed silicon (Si) semiconductor technology to approach the theoretical limits of the Si material; however, power device requirements for many applications are at a point that the present Si-based power devices can not handle. The requirements include higher blocking voltage, switching frequencies, efficiency, and reliability. To overcome these limitations, new semiconductor materials for power device applications are needed. For high power requirements, wide band gap semiconductors like silicon carbide (SiC) , gallium nitride (GaN) , and diamond with their superior electrical properties are likely candidates to replace in the near future. This paper compares all the aforementioned wide band gap semiconductors with respect to their promise and applicability for power applications and predicts the future of power device semiconductor materials.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
Somayyeh Rahmani
University of tarbiat moallem azarbaijan (Tabriz) Electrical department
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :