بررسی مدلهای مداری AC ارائه شده برای دیود تونل زنی تشدیدی RTD و پاسخهای فرکانسی تجربی و تئوری و ارائه راهکار برای رفع تغایرات

سال انتشار: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,223

فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ISCEE10_004

تاریخ نمایه سازی: 7 آذر 1390

چکیده مقاله:

دیود تونل زنی تشدیدی RTD یک قطعه کوانتومی با خواص عالی فرکانس بالاست که کاربردهای آنالوگ و دیجیتال فراوانی دارد در این مقاله مدلهای مداری مختلف ارائه شده در مقالات در RTD مورد بررسی قرارگرفته است ساده ترین مدل ترکیب موازی یک خازن و یک مقاومت است مدل دوم اضافه شدن سلفی سری به ترکیب قبلی است و مدل سوم استفاده از خازن به جای سلف و اضافه شدن یک مقاومت موازی دیگر است در دسته ای دیگر از مقالات اثرات ناحیه drift سمت کلکتور نیز مورد بررسی قرارگرفته است در این مقاله ما کارهای گذشته را تکرار کرده و نشان داده ایم که نتایج تحلیلهای تئوری با نتایج اندازه گیری های عملی کاملا همگرا نیست سپس دلایل این عدم همگرایی بررسی کرده و ایده جدیدی برای کوپلاژ بین الکترونهای چاه کوانتومی و ناحیه drift مطرح کرده ایم.

کلیدواژه ها:

نویسندگان

روزبه عابدینی نسب

دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک

محمدجواد شریفی

استادیار دانشگاه شهید بهشتی

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • _ _ _ _ no. 12, pp. 593-595, 1974. ...
  • P. Mounaix, E. Lheurette, F. mollot, and D. Lippens, ...
  • C. v. Sammut, N. J. Cromin, R. D. Schnell and ...
  • N. _ Alkeev, P. Velling, E. Khorenko, W. Prost, and ...
  • _ _ _ Khorenko, S. Ehrich, H. -H. Wehmann, A. ...
  • 260, Grenoble, France, 2005 ...
  • A. Matiss, W. Brockerhof, A. Poloczek, W. Prost, F. -J. ...
  • A. Zarea, A. Sellai, M. S. Raven, D. P. Steenson, ...
  • E. R. Brown, C. D. Parker, and T. C. L. ...
  • Q. Liu, A. Seabaugh, P. Cahal, and F. J. Morris, ...
  • O. Vanbesien, V. Sadaune, D. Lippens, B. Vinter, P. Bols ...
  • K. Huang, M. Carroll, G. Starnes, R. Lake, D. Janes, ...
  • D.Woolard, F. Buot, D. Rhodes, X. Lu, and B. Perlman, ...
  • P. Zhao, H. L. Cui, D. L.Woolard, K. L. Jensen, ...
  • simulation, " IEEE Trans. Electron Devices, vol. 48, pp. 614- ...
  • J.J.M.Kwaspen, M.I. Lepsa, Th.G. van de Roer, and W. van ...
  • R. E. Miles, G. Millington, R. D. Pollard, D. P. ...
  • _ _ _ _ the RTD Q u _ tum-Inductance ...
  • N. C. Kluksdahl, A. M. Kriman, D. K. Ferry, and ...
  • Ringhofer, "Transient switching behavior of the Resonant- tunneling diode", IEEE ...
  • R. K. Mains, I. Mehdi, and G. I. Haddad, :Resonant- ...
  • _ _ Vol. 10, No. 6, pp. 595-620, 1989 ...
  • _ _ _ ElECTRON DEVICES, Vol. 41, No. 7, pp. ...
  • R. Lake and J. Yang, "A physics based model for ...
  • ELECTRON DEVICES, Vol. 50, No. 3, pp.785-789, March 2003 ...
  • Y. Zheng and R. Lake, :S elf-Consistet Transit-Time model for ...
  • T. P. E. Broekaert, B. Brar, J. P. A van ...
  • S. M. Sze, pqysrcs or SEMICOND icroRs, 28 ed, New ...
  • R. P. Smith, S. T. Allen, M. Reddy, S. C. ...
  • نمایش کامل مراجع