ترانزیستورهای مبتنی بر نانوتیوب های کربنی؛ بررسی عملکرد، مدلسازی دقیق و ارائه یک مدل تقریبی

در این مقاله نخست لزوم جهت گیری الکترونیک مبتنی بر سیلیکون به سمت و سوی تکنولوژی های دیگر مورد بررسی قرار گرفته است و سپس ترانزیستورهای مبتنی بر نانوتیوب های کربنی به عنوان یکی از مهمترین تکنولوژی های جایگزین معرفی شده اند . عملکرد این ترانزیستورها به کمک تئوری باندهای انرژی اتصال نیمه هادی ها به فلزات، بررسی گردیده و مدلسازی دقیق رفتار آنها به کمک فرمولیزاسیون لاندائورتشریح شده است . هم چنین یک مدل تقریبی برای این ترانوزیستورها ارائه گردیده است که بسیار ساده تر از مدل دقیق می باشد و در عین حال پارامترهای اساسی تغییر دهنده جریان را نیز مد نظر قرار می دهد

کلیدواژه ها:

ترانزیستورهای مبتنی بر سد شاتکی ، حرکت بالیستیک ، فرمولیزاسیون لاندائور ، نانوتیوب های کربن