مدل اصلاح اثرات کوانتومی برای بار معکوس و مشخصات جریان- ولتاژ قطعه MOSFET
محل انتشار: دوازهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,339
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE12_229
تاریخ نمایه سازی: 29 اسفند 1387
چکیده مقاله:
فرمولهای تحلیلی اصلاح یک بعدی اثرات کوانتومی برای بار معکوس و مشخصههای جریان- ولتاژ، از مدل گرادیان چگالی (DG) استخراج می شوند.برای معادلات نفوذ-رانش کلاسیک نتایج، توسط Markowich وWard ،Please ارائهشدهاست. نتایج Ward برای بدست آوردن فرمولهای صریح برای بدست آوردن فرمولهای صریح MOSFET در بازه ولتاژ قطعه دقیق میباشد Ancona تئوری DG را برای مدل کردن اثرات کوانتومی در معادلات انتقال الکترون و حفره معرفی کرد. نتایج شبیهسازی جریان-ولتاژ و ظرفیت-ولتاژ با استفاده از مدل DG نتایج خوبی را نشان میدهد. این روش عددی در سطح شبیهسازی ادوات نیمههادی مناسب میباشد. با این وجود، برای کاربردهای تحلیلی مدار، مدل ساده تحلیلی مورد نیاز میباشد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :