ترانزیستورهای فیلم نازک پلی کریستال اکسید روی
محل انتشار: سیزهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1389
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,618
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE13_164
تاریخ نمایه سازی: 14 مرداد 1389
چکیده مقاله:
ترانزیستورهای فیلم نازک TFTs ساخته شده از نیمه هادی شفاف، تکنولوژی بسیار مهمی هستند چون نامرئی بودن آنها در طیف نور مرئی ساختار قطعات را ساده تر می کند تمام ساختارهای ترانزیستور فیلم نازک کارایی لازم را ندارند که این بدلیل حضور مرزهای بلور چگال است مامرزهای بلور در ترانزیستور فیلم نازک پلی کریستال اکسید روی را برای تعیین اثرات آن درعملکرد قطعه آنالیز و بصورت دو بعدی شبیه سازی می کنیم ابتدا سد شاتکی دوبل شکل گرفته در مرز بلور و بعد از ارتفاع این سد را که تابعی از چگالی نقایص یا همان تله ها و بایاس گیت است در یک مرز بلوری آنالیز و شبیه سازی می کنیم شبیه سازی را برای ترانزیستور با کانال پلی کریستالی متشکل از چند مرز بلور بسط می دهیم و تفاوتها را در ولتاژ آستانه ، موبیلیته و جریان کانال با تعداد مرزها و تراکم تله متفاوت بررسی می کنیم و از نتایج شبیه سازی قادر خواهیم بود ولتاژ آستانه و موبیلیته کانال را تخمین بزنیم
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :